器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯 片（FC，Flip-Chip）等应用得越来越多。这些 技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装 配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。

由于倒装芯片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸、更小的球径和球间距、它对植球工艺、基板技术、材料的兼容性、制造工艺，以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。

倒装芯片的发展历史

倒装芯片的定义

什么器件被称为倒装芯片？一般来说，这类器件具备 以下特点：

1.     基材是硅；

2. 电气面及焊凸在器件下表面；
3. 球间距一般为4-14mil、球径为2.5-8mil、外形尺寸为1-27mm；
4. 组装在基板上后需要做底部填充。

其实，倒装芯片之所以被称为“倒装”，是相对于传 统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺 而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝 上（图1），而倒装芯片的电气面朝下（图2），相当于将 前者翻转过来，故称其为“倒装芯片”。在圆片（Wafer） 上芯片植完球后（图3），需要将其翻转，送入贴片机，便于贴装，也由于这一翻转过程，而被称为“倒装芯片”。

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