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瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)又推采用56引脚QFN封装，集成了一个驱动器IC和两个高端/低端功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器(VR)。
R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET(DrMOS)”封装标准(以下称作“DrMOS”)。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。
R2J20602NP的特性：
- 40A的最大输出电流
40A的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。
- 与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
当工作在1MHz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平(Vin = 12V，Vout = 1.3V)。其输出电流为25A，功率损耗为4.4W——业界的最低水平——比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。
- 小型封装与第一代产品引脚安排兼容
其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8mm×8 mm×0.95mm的小型56引脚QFN封装适用于高速交换，有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件，并可减少元件数量。这将使VR变得更小。
其他产品细节
R2J20602NP单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感，使R2J20602NP适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的最新功率MOSFET可提供业界最高的性能。低端MOSFET集成了肖特基势垒二极管，可以减少开关损耗，驱动器IC专门用来优化MOSFET的通/断控制。
该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装，符合英特尔公司提出的DrMOS封装标准。最小的封装尺寸为8mm×8 mm×0.95mm，0.5mm引脚间距，封装内采用的是无线铜板构造(copper plate construction)内部连接，可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径，有助于处理电流和散热问题。
新型R2J20602NP第二代DrMOS兼容产品是专门为12V输入的低电压输出应用优化的，例如，在f=1MHz，Vin=12V，和Vout=1.3V的条件下，可实现业界约89%的最高效率水平。高速运行可使外部无源元件更小，元件数量更少，从而减小电源的尺寸。
典型应用：
台式电脑、服务器等的CPU的VR
高性能GPU(图形处理单元)和大电流DSP的DC-DC转换器
通信等POL(负载点)转换器
R2J20602NP的样品供货将从2006年12月在日本开始，样品价格(包括税金)为735日元。
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