三星研发OneDRAM融SRAM和DRAM为一体

【来源:中电网】【编辑:toptouch】【时间: 2006-12-15 8:47:17】【点击:】

12月14日消息 三星电子日前开发出了一款新型整合芯片，取名“OneDRAM”。它采用双接口结构，整合了通常被简称为RAM或系统内存的静态RAM (SRAM)和动态RAM (DRAM)。该芯片频率为133MHz，总容量为512Mbits。 据外电报道，手机一类的嵌入式设备通常都包含了一个通用的处理器和一个用来处理特定任务的应用处理器，OneDRAM可以做为一个共享存储放置在它们中间，供它们同时使用。据三星称，OneDRAM分配给两者的空间可以动态调整。 三星声称，它的这种设计结构将可以使耗电量减少30％，模块所占空间减少50％，手机和游戏机的运行速度可因此提高5倍。 三星预计该产品2007年下半年即可引入到手机产品上。

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