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日本瑞萨科技为计划在2008年投入量产的45nm工艺SoC（系统级芯片）开发出了低成本CMOS技术。通过采用在pMOS中使用金属栅、在nMOS中使用多晶硅栅的混合结构，利用成本比过去更低的工艺实现了45nm工艺所需的驱动性能。瑞萨在美国旧金山举办的“2006 IDEM（2006年IEEE国际电子器件会议）”上进行了技术发表（演讲序号为9.5）。该技术主要面向手机SoC等需要低待机电流的用途。
重视制造成本，只有pMOS中采用金属栅
瑞萨利用此次开发的技术试制出了栅长40nm的CMOS FET。栅绝缘膜和pMOS栅电极分别使用了HfSiON和TiN。从驱动性能（导通电流）来看，nMOS和pMOS分别为620μA/μm和360μA/μm。导通电流均为20pA/μm，与nMOS和pMOS均采用金属栅的双金属栅结构的产品性能相比毫不逊色。pMOS的驱动能力除采用金属栅外，还通过向沟道中注入氟气提高了驱动能力。
该公司开发的新技术的特点在于能够利用成本比过去更低的制造工艺实现如此出色的性能。形成high-k栅绝缘膜之后再形成TiN膜，然后在nMOS一侧以蚀刻方式将这层膜去掉，再在它上面形成多晶硅膜即告完成。
在此之前提出的用于45nm工艺的技术中，nMOS和pMOS均采用金属栅的CMOS结构与此次新开发的技术相比，制造成本更容易升高。其原因在于n型金属材料的性能会因高温热处理而下降，而p型金属又很难进行低损加工，为解决这些问题只好采用新材料和工艺的缘故。
不过，瑞萨认为，从元件性能方面来说，双金属栅结构是面向45nm工艺的最佳结构。因此准备同时推进能以低成本实现双金属栅结构的工艺技术开发。
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