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Diodes公司发布了DFN封装平台和一系列新的分立器件。这种封装平台采用先进的无铅方形扁平无引线(QFN)技术，可超越SOD和SOT封装，达到最高的封装密度。这种封装的功率密度接近325mW/mm2，而SOT-23和SOD-123封装的功率密度仅分别为30mW/mm2和65mW/mm2，其高度为0.53mm，而SOT-23和SOD-123封装则分别为1.1mm和1.35mm。并且，这种封装的PCB占位面积仅0.77mm2，而SOT-23和SOD-123封装则分别为9.9mm2和7.6mm2。
DFN 1006-2和DFN 1006-3封装分别可用于两引脚和三引脚的器件。此外，该公司尚在开发可用于阵列的6引脚和8引脚QFN平台。
随DFN封装平台，Diodes公司还发布了多种分立器件，包括四种肖特基二极管和电压为5.6V到24V的一系列齐纳二极管。该公司还计划采用无铅QFN封装技术来封装其开关二极管和NPN/PNP晶体管。
这种无铅封装设计有助于器件更加有效地散热。因而其肖特基二极管和齐纳二极管的功率耗散均可达到250wW，比面积更大的表面贴装器件的散热效率更高。
该公司采用这种新型DFN封装的肖特基二极管的型号包括BAS40LP、BAT54LP、SDM10U45LP和SDM20U30LP，而齐纳二极管的型号则包括BZT52C5V6LP、BZT52C6V2LP、BZT52C6V8LP、BZT52C7V5LP、BZT52C8V2LP、BZT52C9V1LP、BZT52C10LP、BZT52C11LP、BZT52C12LP、BZT52C13LP、BZT52C15LP、BZT52C16LP、BZT52C18LP、BZT52C20LP、BZT52C22LP和BZT52C24LP。 <|||>
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2005-5-25 |
