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我国生产型MOCVD设备研制成功
为了建立我国用于氮化镓激光器外延片生产用的金属有机物化学气相淀积（MOCVD）研发及产业化基地，打破国外MOCVD设备长期处于垄断的局面，2001年7月，中国科学院半导体研究所承担了北京市科学技术委员会新材料基地“氮化镓激光器关键技术研究”。经过科研人员2年的不断攻关，取得了技术的突破，近日通过专家验收，与此同时，中国科学院半导体研究所于2002年7月承担的“863”项目“适合氮化镓材料生产的MOCVD设备和虚拟仿真系统”也取得较大的进展，顺利通过专家组的中期考核和评估。
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2004-11-1 |
