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中科院光电所研制的
URE—2000A型I线深度曝光光刻机产销两旺
URE—2000A型I线深度曝光光刻机是中科院光电技术研究所发挥该所微细加工光刻设备研制技术的优势,根据市场需求自主开发创新的一种新型深紫外光(365nm)光刻设备。在开展微电子、微光学、微机械系统、红外器件、准LIGA及声表面波器件等研制和生产深层光刻中具有突出的功能和用途，广泛用于Ф7~Ф110mm、 厚度0~20mm的各种不规则样片及2、2.5、3、4、5英寸掩模板。设备先后经多家高等院校、科研院所及生产厂家使用，技术性能稳定可靠，得到用户的广泛关注和赞赏。日前已有数家单位前来订购该设备，该所研发人员正加班工作，保质保量全力满足用户的需求。
该设备在深度光刻中具有突出特色，在研制技术上取得了多项的创新与突破：成功采用1千瓦大功率汞灯照明系统；采用球气浮自动调平调焦技术及高倍率双目双视显微镜与CCD图像对准技术；控制系统采用压电陶瓷自动闭环精确设定曝光间隙，自动分离对准间隙，具备接触和绝对不接触曝光方式与定时、定剂量两种曝光剂量设定功能；采用高反射率大包容角椭圆反射镜、I线高透过率光学玻璃材料和光学镀膜增加曝光能量；采用小聚光角等侧壁增徒技术；采用蝇眼透镜（且排列方式特别）平滑衍射效应提高光刻分辩力等先进技术。
该设备光刻分辩力达0.8~1μm,线条侧壁陡度达85°,对深层光刻线条高度比孤立线条可达60:1,等间距线条优于20:1,曝光速度在胶厚600μm(SU8胶)情况下,曝光时间小于10分钟.因此,该设备具有分辩力高、套刻准、线条陡直、线条高宽比大、曝光速度快等特点，成为我国应用于毫米量级深层光刻工艺生产的新型I线光刻设备。
（摘自中科院光电所网站） <|||>
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2004-11-2 |
