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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出17款新型功率MOSFET，这些器件采用小型 PowerPAK 12128 封装，并且具有低至 3.7mW 的超低导通电阻值。
这些TrenchFET第二代器件实现了巨大的空间节约，它们的尺寸仅为3.3 毫米×3.3 毫米×1 毫米，仅是 SO?8 封装的 1/3，并且它们还具有不足 2°C/W 的低热阻，这一热阻值比 SO?8 器件低 8 倍。
这些新型功率 MOSFET 主要面向用于数据通信系统的负载点 (POL) 转换器及高密度直流到直流转换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用，它们可使设计人员极大减少板面空间以及/或提高功能，同时性能毫不逊色。凭借它们出色的电气性能，日前推出的这些功率 MOSFET 可作为众多应用中 SO-8 器件的可行替代产品。
12V至40V单N信道器件在4.5V栅极驱动时的导通电阻值范围介于3.7mW～10mW，它们包括12V Si7104DN；20V Si7106DN、Si7108DN 及Si7110DN；30V Si7112DN及Si7114DN，以及40V Si7116DN。
双 N 信道器件具有低至36mW的导通电阻值，它们包括30V Si7212DN与Si7214DN、40V Si7222DN，以及60V Si7220DN。
单信道 60V Si7120DN、75V Si7812DN、150V Si7818DN、220V Si7302DN 及 250V Si7802DN 采用 PowerPAK 1212-8 封装。在 10V 栅极驱动时，这些器件的导通电阻值范围介于 135mW～435mW。该公司先前推出了 200V Si7820DN。
采用 PowerPAK 1212-8 封装的这些新型功率MOSFET的样品和量产批量均已提供，大宗订单的供货周期为12周。 |
