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飞兆半导体的MLP封装MicroFET™产品
在小外形尺寸中提供出色的功耗特性
业界最广泛面向低压应用的 MicroFET™系列又添 7款新产品
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款全新MicroFET™产品，为面向30V 和20V以下低功耗应用业界最广泛的小外形尺寸器件系列增添新成员。这些MicroFET产品在单一器件中结合飞兆半导体先进的Power Trench®和封装技术，比较传统的MOSFET在性能和空间方面带来更多优势。例如，它们采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑无脚封装(MLP)，较之于低压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6封装MOSFET体积减小55% 及高度降低20%。相比SC-70封装的传统MOSFET，这些新产品更具有出色的功耗和传导损耗特性。全新MicroFET器件兼具紧凑封装和高性能特性，成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。
飞兆半导体通信产品市务总监Chris Winkler 表示：“飞兆半导体的MicroFET产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的MicroFET产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。”
在这些新MicroFET产品中，FDMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ 和 FDMA1025P分别具备不同的配置，集成了单及双P沟道PowerTrench MOSFET与ESD保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，FDMA1023PZ更可保证以低至1.5V的栅极电压 (VGS) 提供低额定导通阻抗RDS(ON)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。
另外三款产品集成了N或 P沟道MOSFET和肖特基二极管。当中，FDFMA2P029Z 和 FDFMA2P857集成了P沟道MOSFET和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (VF) 和反向泄漏电流 (IR)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N沟道MOSFET和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。
这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越ICP/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。.
供货: 现货
交货期: 收到订单后12周内
全新MicroFET产品:
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元件编号 |
配置 |
功能 |
(V) |
(V) |
(A) |
RDS(ON) mOhms Max |
(nC) |
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VDS |
VGS |
ID |
4.5V VGS |
Qg(TOT) Typ |
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FDMA520PZ |
单P沟道 (带有齐纳二极管) |
充电 FET/负载开关 |
-20V |
12V |
-7.3 |
30 |
14 |
|
FDMA530PZ |
单P沟道(带有齐纳二极管) |
充电 FET/负载开关 |
-30V |
25V |
-6.8 |
35 |
16 |
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FDMA1025P |
双P沟道 |
充电 FET |
-20V |
12V |
-3 |
220 |
3.4 |
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FDMA1023PZ |
双P沟道(带有齐纳二极管) |
充电FET |
-20V |
8V |
-4 |
71 |
8 |
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FDFMA2N028Z |
单N沟道(带有齐纳二极管) +肖特基二极管 |
升压FET带有低 正向电压肖特基二极管 |
20V |
12V |
3.7 |
68 |
4 |
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FDFMA2P029Z |
单 P沟道 (带有齐纳二极管) +肖特基二极管 |
升压FET 带有低 正向电压肖特基二极管 |
-20V |
12V |
-3 |
95 |
7 |
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FDFMA2P857 |
单P沟道 + 肖特基二极管 |
充电FET带有低反向泄漏电流肖特基二极管 |
-20V |
8V |
-3 |
120 |
4 |
查询更多信息或价格详情，请联络飞兆半导体香港办事处，电话：852-2722-8338；深圳办事处，电话：0755-8246-3088；上海办事处，电话：021-5298-6262；北京办事处，电话：010-8519-2060 或访问公司网站：www.fairchildsemi.com。
飞兆半导体公司简介
美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) 是全球首屈一指的功率模拟和功率分立技术领导，专门为所有电子系统提供高效率的解决方案。作为功率专家 The Power Franchise®，飞兆半导体提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业。2007 年，飞兆半导体庆祝成立 50 及 10周年纪念，该公司成立至今有 50 年历史，同时也是新的飞兆半导体公司的 10 周年纪念。飞兆半导体于 1958 年开发出平面晶体管，并以此开创出一个崭新的行业，因此被称为“硅谷之父”。今天，飞兆半导体是一家以应用主导及以解决方案为基础的半导体供货商，提供线上设计工具和遍布全球的设计中心，是其全面的 Global Power Resource™ (全球功率资源) 的一部分。 详情请浏览网站：www.fairchildsemi.com。 |
